Транзистор IGBT DIOTEC SEMICONDUCTOR DIW050F065 — полупроводниковый прибор с максимально допустимым напряжением коллектор-эмиттер 650 В и током коллектора 50 А. Выпускается в корпусе TO247-3, предназначен для монтажа в штыревом исполнении.

• Тип транзистора: IGBT
• Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 В
• Максимально допустимый ток коллектора: 50 А
• Максимальная мощность рассеивания: 350 Вт
• Корпус: TO247-3
• Количество в комплекте: 10 шт.

Транзистор имеет максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер 650 В и максимально допустимый ток коллектора 50 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 350 Вт. Тип транзистора: IGBT.

Прибор выполнен в корпусе TO247-3. Тип монтажа — штыревой. Согласно характеристикам, транзистор имеет интегрированный антипараллельный диод.

В комплект поставки входит 10 шт. транзисторов. Согласно данным производителя (S*), заряд затвора составляет 78 нКл, а напряжение затвор-эмиттер — ±20 В.