Транзистор IGBT STGF10H60DF от STMicroelectronics в корпусе TO220FP. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер составляет 600 В, максимальный ток коллектора — 10 А.
- Тип транзистора: IGBT
- Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 В
- Максимально допустимый ток коллектора: 10 А
- Максимальная мощность рассеивания: 30 Вт
- Корпус: TO220FP
- Количество в комплекте: 20 шт.
Электрические параметры
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер составляет 600 В. Максимальный постоянный ток коллектора — 10 А. Максимальная мощность рассеивания равна 30 Вт.
Конструкция и монтаж
Транзистор выполнен в корпусе TO220FP с выводным типом монтажа. Прибор имеет интегрированный антипараллельный диод. Заряд затвора составляет 57 нКл, а максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер — ±20 В.
Комплектация
В комплекте поставляется 20 транзисторов.