Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF12N60M2 — это полевой транзистор с изолированным затвором в корпусе TO220FP. Комплект состоит из 20 штук, предназначенных для монтажа в штырьковом исполнении.

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 В
• Максимально допустимый ток стока: 9 А
• Максимальная мощность рассеивания: 25 Вт
• Корпус: TO220FP
• Количество в комплекте: 20 шт.

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 600 В и ток стока 9 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 25 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 450 мОм.

Компонент выполнен в корпусе TO220FP. Тип монтажа — штырьковой. Полярность транзистора — униполярная, канал обогащенного типа. Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет 25 В, а заряд затвора — 16 нКл. Импульсный ток стока может достигать 36 А.