N-канальный MOSFET (полевой транзистор) 

Характеристики:

•    Изготовитель:  International Rectifier (IR)
•    Корпус ТО220
•    Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 330 W
•    Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 55 V
•    Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
•    Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
•    Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 169 A
•    Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
•    Общий заряд затвора (Qg): 170 nC
•    Время нарастания (tr): 190 ns
•    Выходная емкость (Cd): 1210 pf
•    Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0053 Ohm