Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW18N60M2 — это полевой транзистор с каналом типа обогащения и технологией MDmesh™ II Plus. Предназначен для работы с напряжением сток-исток до 650 В и током стока до 8 А.

• Тип транзистора: Полевой (N-MOSFET)
• Максимальное напряжение сток-исток: 650 В
• Максимальный ток стока: 8 А
• Мощность рассеивания: 110 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 255 мОм
• Корпус: TO247, монтаж выводной
• Технология: MDmesh™ II Plus
• Количество в комплекте: 10 шт.

Максимальная мощность рассеивания составляет 110 Вт, что определяет тепловой режим работы компонента. Максимально допустимое напряжение сток-исток (Vds) равно 650 В, а напряжение затвор-исток (Vgs) — 25 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) зафиксировано на уровне 255 мОм, что влияет на потери при пропускании тока.

Компонент выполнен в корпусе TO247, что обеспечивает эффективный отвод тепла. Тип монтажа — выводной (THT), что требует соответствующих отверстий на печатной плате. Версия ESD указывает на наличие защиты от электростатических разрядов.

В наборе поставляется 10 шт. транзисторов STW18N60M2. Компонент имеет версию ESD, что указывает на наличие защиты от электростатических разрядов.