Транзистор IGBT IXYS IXBT6N170 — биполярный транзистор с изолированным затвором, технология BiMOSFET™, FRED, корпус D3PAK. Напряжение коллектор-эмиттер — 1,7 кВ, ток коллектора — 6 А. В наборе 2 шт.
- Напряжение коллектор-эмиттер: 1,7 кВ
- Ток коллектора: 6 А
- Мощность рассеяния: 75 Вт
- Напряжение затвор-эмиттер: ±20 В
- Заряд затвора: 17 нКл
- Корпус: D3PAK, поверхностный монтаж
Электрические параметры
Максимальная мощность рассеяния — 75 Вт. Напряжение затвор-эмиттер — ±20 В. Заряд затвора — 17 нКл. Относится к высоковольтным полупроводниковым элементам.
Конструкция и монтаж
Корпус — D3PAK, тип монтажа — поверхностный.