Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP6NK60ZFP — это полевой транзистор с каналом обогащения в корпусе TO220FP. Устройство имеет максимальное напряжение сток-исток 600 В и ток стока 3.8 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой, канал обогащения)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 В
• Максимально допустимый ток стока: 3.8 А
• Максимальная мощность рассеивания: 110 Вт
• Корпус: TO220FP (выводной монтаж)
• Сопротивление в открытом состоянии: 1200 мОм
• Количество в комплекте: 10 шт.

Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 600 В и максимально допустимый ток стока 3.8 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 110 Вт, что определяет тепловые ограничения при работе под нагрузкой. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 1200 мОм, что влияет на потери мощности при пропускании тока.

Компонент выполнен в корпусе TO220FP. Тип монтажа — выводной (THT), что позволяет устанавливать транзистор в отверстия печатных плат. Версия: ESD.

Товар поставляется набором из 10 штук. Использована технология SuperMesh™.