IRFP260NPbF – мощный N-канальный полевой транзистор серии HEXFET пятого поколения производства Infineon Technologyies. Сочетает низкое сопротивление в открытом состоянии, быстрое переключение и полную лавинную устойчивость. Корпус TO-247AC, выполнение без свинца (Pb-free).
| Параметр |
Значение |
| Напряжение сток-вилка (V(BR)DSS) |
200 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)), макс. |
0,04 Ом (VGS=10В, ID=28А) |
| Постоянный ток стока (TC=25°C / 100°C) |
50А / 35А |
| Импульсный ток стока (IDM) |
200 А |
| Напруга затвор-витік (VGS) |
±20 В |
| Порогова напруга (VGS(th)) |
2,0 — 4,0 В |
| Рассеиваемая мощность (PD, TC=25°C) |
300 Вт |
| Манящая энергия (EAS), одиночный импульс |
560 мДж |
| Общий заряд затвора (Qg), макс. |
234 нКл |
| Входная емкость (Ciss) |
4057 пФ (тип.) |
| Время включения / выключения (td(on) / td(off)) |
17 / 55 нс (тип.) |
| Прямое напряжение тела диода (VSD), макс. |
1,3 В (IS=28А) |
| Время восстановления диода (trr) |
268 нс (тип.) / 402 нс (макс.) |
| Термическое сопротивление корпус-кристалл (RJC) |
макс. 0,50 °C/Вт |
| Диапазон температур (TJ) |
−55 … +175 °C |
| Корпус |
TO-247AC |
| Производитель |
Infineon Technologies |