SPW16N50C3 — N-канальный силовой MOSFET производства Infineon Technologies серии CoolMOS, выполненный по революционной высоковольтной технологии. Отмечается чрезвычайно низким зарядом затвора, минимальными эффективными емкостями и устойчивостью к лавинному пробу. Предназначен для применения в высоковольтных импульсных источниках питания и преобразователях. Корпус P-TO247.
| Тип транзистора |
N-канальный MOSFET (CoolMOS) |
| Напряжение стик-вилка VDS (при Tjmax) |
560 В |
| Напряжение пробоя V(BR)DSS (min) |
500 В |
| Ток стока ID непрерывный |
16 А (при TC=25°C) / 10 А (при TC=100°C) |
| Импульсный ток стока ID puls |
48 А |
| Напряжение затвор-вилка VGS |
±20 В (DC) / ±30 В (AC, f>1Гц) |
| Сопротивление в открытом состоянии RDS(on) (typ) |
0,25 Ом (при VGS=10В, ID=10А, T=25°C) |
| Сопротивление в открытом состоянии RDS(on) (max) |
0,28 Ом |
| Порогова напруга затвора VGS(th) |
2,1 — 3,9 В (typ 3,0 В) |
| Крутость gfs |
14 S (typ) |
| Входная емкость Ciss |
1600 пФ |
| Выходная емкость Coss |
800 пФ |
| Обратная передаточная емкость Crss |
30 пФ |
| Заряд затвора Qg (typ) |
66 нКл |
| Заряд затвор-стук Qgd |
36 нКл |
| Время включения td(on) / tr |
10 нс / 8 нс |
| Время выключения td(off) / tf |
50 нс / 8 нс |
| Энергия одиночной лавинной пробой EAS |
460 мДж |
| Прямое падение напряжения диода VSD (typ/max) |
1,0 / 1,2 В |
| Время обратного восстановления диода trr |
420 нс |
| Заряд обратного восстановления Qrr |
7 мкКл |
| Рассеиваемая мощность Ptot |
160 Вт (при TC=25°C) |
| Теплоопор переход корпус RthJC |
0,78 К/Вт |
| Диапазон рабочих температур |
-55 ... +150 °C |
| Корпус |
P-TO247 |