promo_download_app_ios_2025
Нажмите найти для поиска
КТ817Б транзистор NPN (3А 45В) 25W (ТО126)
КТ817Б транзистор NPN (3А 45В) 25W (ТО126)
Характеристики и описание

Основной

Тип транзистораБиполярный
Тип биполярного транзистораN-P-N
Материал корпусаПластик
Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер45 В
Максимально допустимый ток коллектора6 А
Максимальная мощность рассеивания25 Вт
Тип монтажаРучной монтаж

Пользовательские характеристики

Техническое описаниескачать PDF в спецификации
КТ817Б
Транзисторы КТ817Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.
Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-27-2 (TO-126).
Масса транзистора не более 1,0 г.
Вид климатического исполнения: «УХЛ2» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» аА0.336.187ТУ/02.
Минимальный срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный : 2SC790, 2SD235, BD175, BD233, BD437, BD615, BD933.

Основные технические характеристики транзистора КТ817Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 25 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 45 В (1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мА (45В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 25;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,6 Ом
 
Технические характеристики транзисторов КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г:
Тип
транзистора
Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С TП
max
Т
max
IК
max
IК. И.
max
UКЭR max
(UКЭ0 max)
UКБ0 max UЭБ0 max РК max
К. Т. max)
h21Э UКЭ
нас.
IКБО IЭБО f гp. КШ СК СЭ
А А В В В Вт   В мкА мкА МГц дБ пФ пФ °С °С
КТ817А n-p-n 3 6 40 - 5 1 (25) >25 <0,6 100 - >3 - <60 <115 150 -40…+100
КТ817Б n-p-n 3 6 45 - 5 1 (25) >25 <0,6 100 - >3 - <60 <115 150 -40…+100
КТ817В n-p-n 3 6 60 - 5 1 (25) >25 <0,6 100 - >3 - <60 <115 150 -40…+100
КТ817Г n-p-n 3 6 100 - 5 1 (25) >25 <0,6 100 - >3 - <60 <115 150 -40…+100

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
 IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
 IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
 UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
 UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
 UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
 UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
 РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
 РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
 h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
 UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
 IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
 IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
 f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
 КШ - коэффициент шума транзистора.
 СК - емкость коллекторного перехода.
 СЭ - емкость коллекторного перехода.
 ТП max - максимально допустимая температура перехода.
 Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.

КТ817Б транзистор NPN (3А 45В) 25W (ТО126)

5
(2)
В наличии
Код: КТ817Б
11.7 
Способы оплаты
Безопасная оплата
  • Как наложенный платеж, только без переплат
  • Вернем деньги, если что-то пойдет не так
  • Bigl гарантирует безопасность
Наложенный платеж
Нова Пошта, Самовывоз
Оплата на счет
IBAN UA953052990000026008036705932
Способы доставки
Нова Пошта — от 70 грн
Укрпошта — от 39 грн
Meest ПОШТА — от 30 грн
Самовывоз
Условия возврата
Возврат товара в течение 14 дней за рахунок покупця
Чат