•
•
•
•
•
•
Транзистор NCE80TD65BT 650В 80А, N-канальный, TO-247, NCE Power
Характеристики и описание
Основной
| Производитель | Wuxi NCE Power Semiconductor |
Транзистор IGBT NCE80TD65BT (NCE Power) - 650V, 80A Trench FS II Fast IGBT со встроенным диодом
Быстродействующий IGBT-транзистор с технологией Trench Field Stop II второго поколения от NCE Power в корпусе TO-247. Напряжение коллектор-эмиттер 650 В, непрерывный ток коллектора 80 А при TC = 100°C. Отличается очень низким напряжением насыщения VCE(sat) = 1.7 В, устойчивостью к КЗ в течение 3 мкс и положительным температурным коэффициентом VCE(sat) для легкого параллельного соединения. Без свинца (Pb-free).
Предельные параметры
| Параметр | Значение | Условия |
|---|---|---|
| Напряжение коллектор-эмиттер VCES | 650 В | — |
| Напряжение затвор-эмитер VGES | ±30 В | — |
| Ток коллектора IC | 160 А | TC = 25°C |
| Ток коллектора IC | 80А | TC = 100°C |
| Импульсный ток коллектора ICplus | 240А | — |
| Устойчивость к КЗ tsc | 3 мкс | VGE = 15 В, VCC ≤ 400 В, Tj ≤ 150°C |
| Прямой ток диода IF | 80А | TC = 100°C |
| Макс. ток диода IFM | 240А | — |
| Рассеиваемая мощность PD | 390 Вт | TC = 25°C |
| Рассеиваемая мощность PD | 155 Вт | TC = 100°C |
| Температура перехода и хранения | −55 ... +150 °C | — |
| Тепловое сопротивление RθJC (IGBT) | 0.32 °C/Вт | — |
| Тепловое сопротивление RθJC (диод) | 1.41 °C/Вт | — |
| Корпус | TO-247 | G, C, E |
Электрические характеристики IGBT
| Параметр | Typ | Max | Условия |
|---|---|---|---|
| Порогова напруга VGE(th) | 5.0 В | 6.0 В | IC = 1 мА, VCE = VGE |
| Напряжение насыщения VCE(sat) | 1.7 В | 1.9 В | IC = 80 А, VGE = 15 В, T = 25°C |
| Напряжение насыщения VCE(sat) | 1.9 В | — | IC = 80 А, VGE = 15 В, T = 150°C |
| Ток утечки коллектора ICES | — | 6 мкА | VGE = 0 В, VCE = 650 В |
| Заряд затвора Qg | 331 нКл | — | VCC = 480 В, IC = 80 А, VGE = 15 В |
| Входная емкость Cies | 9188 пФ | — | VCE = 25 В, f = 1 МГц |
| Ток КЗ IC(SC) | 450А | — | VGE = 15 В, VCC ≤ 400 В, tSC ≤ 3 мкс |
| Задержка включения td(ON) | 19 нс | — | VCE = 400 В, IC = 80 А, VGE = 0/15 В, Rg = 5 Ом |
| Время нарастания tr | 17 нс | — | |
| Задержка отключения td(OFF) | 172 нс | — | |
| Время спада tf | 20 нс | — | |
| Потеряны включения Eon | 1.43 мДж | — | |
| Потеря отключения Eoff | 1.45 мДж | — | |
| Суммарные коммутационные потери Ets | 2.88 мДж | — | — |
Характеристики встроенного диода
| Параметр | Typ | Max | Условия |
|---|---|---|---|
| Прямое падение напряжения VFM | 1.75 В | 2.0 В | IF = 80 А |
| Время обратного восстановления Trr | 194 нс | — | VCC = 400 В, IF = 80 А, di/dt = 200 А/мкс |
| Пик тока восстановления IRRM | 2.8 А | — | — |
| Заряд восстановления Qrr | 0.2 мкКл | — | — |
Применение: кондиционеры и тепловые насосы, инверторы общего назначения, управление электродвигателями.
Транзистор NCE80TD65BT 650В 80А, N-канальный, TO-247, NCE Power
Готово к отправке
120 ₴
Способы оплаты
Безопасная оплата
- Как наложенный платеж, только без переплат
- Вернем деньги, если что-то пойдет не так
- Bigl гарантирует безопасность
Нова Пошта, Укрпочта
IBAN UA633220010000026001310065438
Способы доставки
Нова Пошта — Бесплатно при условии
Укрпошта — от 39 грн
Условия возврата
Возврат товара в течение 14 дней за домовленістюДругие товары продавца
Смотрите также
Новинки в категории транзисторы
Любимые товары покупателей
Чат