Транзистор IGBT 30N60A4D 600В 60А Б/У. Транзисторы заводские, хорошего качества, но не новые - выпаянные. На ножках заметные следы припоя, ножки обычно короткие. 

Характеристики:

• Тип транзистора: IGBT + Diode
• Маркировка: 30N60A4D
• Тип управляющего канала: N
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 463
• Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
• Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
• Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 75
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.8
• Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7
• Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
• Время нарастания типовое (tr), nS: 12
• Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 225
• Тип корпуса: TO247

Комплектация:
1 x Транзистор 30N60A4D 600В 60А Б/У