Транзистор IGBT от бренда BASiC SEMICONDUCTOR, модель BGH40N120HS1. Это полупроводниковый прибор с интегрированным диодом Шоттки на основе карбида кремния (SiC SBD), рассчитанный на напряжение 1,2 кВ и ток 40 А. Товар поставляется набором из 3 единиц в корпусе TO247-3.

• Тип транзистора: IGBT с интегрированным диодом SiC SBD
• Максимальное напряжение: 1200 В
• Максимально допустимый ток коллектора: 40 А
• Корпус: TO247-3, монтаж выводной
• Количество в наборе: 3 шт.

Транзистор имеет максимальное напряжение коллектора 1,2 кВ и максимально допустимый ток коллектора 40 А. В конструкции использована технология Field Stop и Trench. Интегрированный антипараллельный диод Шоттки на основе SiC.

Прибор выполнен в корпусе TO247-3. Тип монтажа — выводной (THT).

В комплекте поставляется 3 транзистора BASiC SEMICONDUCTOR BGH40N120HS1.