Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB120NF10T4 — это полевой транзистор с каналом обогащения в корпусе D2PAK. Устройство рассчитано на максимальное напряжение сток-исток 100 В и ток стока 77 А при мощности рассеивания 312 Вт.

• Тип транзистора: N-MOSFET, полевой, канал обогащенный
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 В
• Максимально допустимый ток стока: 77 А
• Максимальная мощность рассеивания: 312 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 10.5 мОм
• Корпус: D2PAK, монтаж поверхностный
• Количество в комплекте: 10 шт.

Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 100 В и максимально допустимый ток стока 77 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 10.5 мОм. Максимальная мощность рассеивания равна 312 Вт.

Компонент изготовлен по технологии SuperMesh™ и имеет версию ESD. Корпус D2PAK предназначен для поверхностного монтажа (SMD). Тип транзистора — полевой, канал обогащенный, полярность униполярная.

В наборе поставляется 10 шт. транзисторов STB120NF10T4.