Транзистор P-MOSFET Diodes Incorporated ZVP2106GTA — это полевой транзистор в корпусе SOT223 для поверхностного монтажа. В комплекте 20 штук с максимальной мощностью рассеивания 2 Вт.

• Тип транзистора: полевой (P-MOSFET)
• Корпус: SOT223, поверхностный монтаж
• Максимальная мощность: 2 Вт
• Напряжение затвор-исток: 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии: 5000 мОм
• Количество в наборе: 20 шт.

Транзистор является полевым (MOSFET) каналом p-типа с максимальным током стока -0,45 А. Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет 20 В, а сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 5000 мОм. Максимальная мощность рассеивания ограничена 2 Вт.

Компонент выполнен в корпусе SOT223, что предполагает поверхностный монтаж (SMD). Канал транзистора является обогащенным, а полярность — униполярной.

Товар поставляется набором из 20 транзисторов.