Модуль IGBT Semikron Danfoss SKM75GB12T4 — это полупроводниковый компонент в корпусе SEMITRANS2 с топологией полумоста. Устройство имеет максимальное напряжение 1,2 кВ и ток коллектора 88 А.
- Тип модуля: IGBT
- Корпус: SEMITRANS2
- Максимальное напряжение: 1200 В
- Ток коллектора: 88 А
- Напряжение затвор-эмиттер: ±20 В
- Топология: полумост IGBT
Электрические параметры
Модуль рассчитан на максимальное обратное напряжение 1,2 кВ. Максимально допустимый ток коллектора составляет 88 А. Напряжение между затвором и эмиттером ограничено значением ±20 В.
Конструкция и монтаж
Компонент выполнен в стандартном корпусе SEMITRANS2. Механическое крепление осуществляется с помощью болтов (винтовое крепление). Для электрического соединения предусмотрены коннекторы FASTON и болтовые соединители.
Топология и структура
Внутренняя структура модуля реализована по схеме «транзистор/транзистор». Топология устройства — полумост IGBT.