Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF33N60M2 — это полевой транзистор с обогащенным каналом, предназначенный для работы под напряжением до 600 В. Модель выполнена в корпусе TO220FP с выводным типом монтажа и реализует технологию MDmesh™.

• N-MOSFET (полевой, обогащенный канал)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 В
• Максимально допустимый ток стока: 26 А
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 108 мОм
• Корпус: TO220FP, выводной монтаж
• Количество в комплекте: 10 шт.

Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 600 В и максимальный ток стока 26 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 108 мОм. Максимальная мощность рассеивания равна 35 Вт.

Компонент изготовлен в корпусе TO220FP. Тип монтажа — выводной (THT). Используется технология MDmesh™.

В наборе поставляется 10 шт. транзисторов STF33N60M2. Полярность транзистора — униполярная. Канал транзистора — обогащенный. Заряд затвора составляет 45,5 нКл.