Транзистор IGBT IXYS IXBK55N300 — это высоковольтный компонент технологии BiMOSFET™ в корпусе TO264. Компонент имеет напряжение коллектор-эмиттер 3 кВ и номинальный ток коллектора 55 А.

• Напряжение коллектор-эмиттер 3 кВ для высоковольтных применений
• Номинальный ток коллектора 55 А с импульсным током до 600 А
• Мощность рассеивания 625 Вт в корпусе TO264
• Технология BiMOSFET™ для оптимизации характеристик
• Время включения 637 нс и выключения 475 нс
• Монтаж THT для надежного крепления на плате

Транзистор работает с напряжением коллектор-эмиттер 3 кВ. Это определяет его применение в схемах с высоким напряжением.

Номинальный ток коллектора составляет 55 А, а импульсный ток достигает 600 А. Мощность рассеивания составляет 625 Вт.

Время включения составляет 637 нс, а выключения — 475 нс.

Компонент изготовлен по технологии BiMOSFET™. Монтаж выполняется методом THT. Корпус — TO264.