Транзистор IGBT STMicroelectronics STGWA50IH65DF в корпусе TO247-3. Максимальное напряжение коллектор-эммитер составляет 650 В, ток коллектора — 50 А, максимальная мощность рассеивания — 300 Вт.

• Тип транзистора: IGBT
• Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер: 650 В
• Ток коллектора: 50 А
• Максимальная мощность рассеивания: 300 Вт
• Корпус: TO247-3
• Количество в комплекте: 10 шт.

Транзистор работает с максимально допустимым напряжением коллектор-эммитер 650 В. Максимально допустимый ток коллектора равен 150 А, а ток коллектора — 50 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 300 Вт.

Компонент выполнен в корпусе TO247-3 с выводным типом монтажа. Заряд затвора составляет 158 нКл, а максимально допустимое напряжение затвор-эммитер — ±20 В.

В наборе поставляется 10 транзисторов.