Полупроводниковый модуль IGBT бренда HUAJING, модель HFGM300D12V3. Устройство имеет топологию полумоста (IGBT) и структуру «транзистор/транзистор». Максимальный ток коллектора составляет 600 А, а максимальное обратное напряжение — 1,2 кВ.

• Ток коллектора: 600 А
• Обратное напряжение: 1,2 кВ
• Напряжение затвор-эмиттер: ±30 В
• Корпус: V3 62MM
• Технология: PT
• Монтаж: болтовой и FASTON

Модуль обладает параметрами: максимально допустимый ток коллектора равен 600 А. Максимальное обратное напряжение (Urmax) зафиксировано на уровне 1,2 кВ. Напряжение между затвором и эмиттером (Напряжение затвор - эмиттер) ограничено значением ±30 В. Технология изготовления обозначена как PT.

Корпус модуля имеет типоразмер V3 62MM. Механическое крепление выполняется с помощью болтов. Для электрического соединения предусмотрен комбинированный вариант: использование коннекторов FASTON и болтового крепления.