Набор из 10 транзисторов N-MOSFET STP9NK60Z от STMicroelectronics в корпусе TO220-3. Монтаж: THT. Максимальное напряжение сток-исток: 600 В, максимальный ток стока: 4,4 А.

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 600 В
• Ток стока: 4,4 А
• Рассеиваемая мощность: 125 Вт
• Корпус: TO220-3, монтаж THT
• Технология: SuperMesh™, версия ESD
• Количество в наборе: 10 шт.

Транзистор является униполярным N-MOSFET с каналом обогащения. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 125 Вт, а сопротивление в состоянии проводимости — 0,95 Ом. Напряжение затвор-исток ограничено ±30 В.

Компонент изготовлен по технологии SuperMesh™. Компонент имеет версию ESD. Монтаж выполняется методом вывода в отверстия (THT).

В упаковке содержится 10 единиц транзисторов STP9NK60Z в корпусе TO220-3.