Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF25N60M2-EP — это полевой транзистор с индуцированным каналом в корпусе TO220FP. Комплект состоит из 10 единиц, предназначенных для навесного монтажа.

• Тип транзистора: полевой (N-MOSFET)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 В
• Максимально допустимый ток стока: 18 А
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 188 мОм
• Корпус: TO220FP
• Количество в комплекте: 10 шт.

Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 650 В, а напряжение затвор-исток — 25 В. Максимально допустимый ток стока равен 18 А, при этом сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 188 мОм. Максимальная мощность рассеивания — 30 Вт.

Транзистор имеет тип монтажа «навесной» и выполнен в корпусе TO220FP. Это однополярный (unipolar) компонент с индуцированным каналом (enhancement). Заряд затвора составляет 29 нКл, а импульсный ток стока — 72 А.

В комплекте поставляется 10 шт. транзисторов. Транзистор изготовлен производителем STMicroelectronics, а его символ в каталоге TME — STF25N60M2-EP.