Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP12N50M2 — это полупроводниковый прибор с каналом обогащения и технологией MDmesh™ M2. Рассчитан на работу при напряжении до 500 В и токе 7 А. Пакет содержит 10 единиц в корпусе TO220-3 для монтажа на плату (THT).

• Напряжение сток-исток: 500 В
• Ток стока: 7 А (импульсный до 40 А)
• Технология: MDmesh™ M2
• Корпус: TO220-3 (монтаж THT)
• Сопротивление в открытом состоянии: 0,38 Ом
• Рассеиваемая мощность: 85 Вт
• Количество в наборе: 10 шт.

Транзистор работает с напряжением сток-исток до 500 В и постоянным током стока 7 А. В импульсном режиме допустимый ток возрастает до 40 А, что позволяет выдерживать кратковременные перегрузки. Сопротивление в открытом состоянии составляет 0,38 Ом, а максимальная рассеиваемая мощность — 85 Вт.

Используется технология MDmesh™ M2. Заряд затвора равен 15 нКл, что влияет на скорость переключения. Максимальное напряжение затвор-исток ограничено ±25 В, поэтому при управлении следует соблюдать этот диапазон.

Компонент выполнен в корпусе TO220-3 с выводами для установки на плату (THT). В комплекте поставляется 10 транзисторов.