•
•
•
•
•
•
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP13NM60N, 600 В, 6,93 А, TO220-3 (5 шт.)
Характеристики и описание
Основной
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 90 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 25 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 6.93 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 360 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Пользовательские характеристики
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технология | MDmesh™ II |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP13NM60N — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, выполненный в корпусе TO220-3. Комплект состоит из 5 единиц.
- Тип: N-MOSFET с каналом обогащения
- Напряжение сток-исток: 600 В
- Ток стока: 6,93 А
- Рассеиваемая мощность: 90 Вт
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Комплектация: 5 шт.
Прибор рассчитан на напряжение сток-исток 600 В и ток стока 6,93 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 90 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — 0,36 Ом. Напряжение затвор-исток ограничено ±25 В.
Технология и монтажТранзистор изготовлен по технологии MDmesh™ II. Монтаж выполняется методом THT (сквозной монтаж).
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP13NM60N, 600 В, 6,93 А, TO220-3 (5 шт.)
В наличии
2 120 ₴
Способы доставки
Нова Пошта — от 70 грн
Самовывоз
Условия возврата
Уточняйте у продавцаДругие товары продавца
12 941 ₴
Смотрите также
Новинки в категории транзисторы
Чат