Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDN335N в корпусе SuperSOT-3 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD).## Комплектация
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Корпус: SuperSOT-3, монтаж SMD
- Напряжение сток-исток: 20 В
- Ток стока: 1,7 А
- Рассеиваемая мощность: 0,5 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 0,12 Ом
- Технология: PowerTrench®, логический уровень управления
- Комплектация: 40 шт.
Электрические параметры
Транзистор работает с напряжением сток-исток до 20 В и выдерживает ток стока 1,7 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 0,5 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 0,12 Ом.
Особенности управления
Устройство использует технологию PowerTrench® и имеет логический уровень управления (logic level). Напряжение затвор-исток ограничено ±8 В, а общий заряд затвора составляет 5 нКл.
Монтаж и корпус
Компонент выполнен в корпусе SuperSOT-3 для поверхностного монтажа (SMD).