Наименование прибора: IRFBE30PBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.1 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 78 nC

Время нарастания (tr): 33 ns

Выходная емкость (Cd): 310 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 3 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB