Наименование прибора: IRFP22N50A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 277 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 22 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 120(max) nC

Время нарастания (tr): 94 ns

Выходная емкость (Cd): 513 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.23 Ohm

Тип корпуса: TO247AC