Наименование прибора: IRF840PBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 63 nC

Время нарастания (tr): 23 ns

Выходная емкость (Cd): 310 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.85 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB