Наименование прибора: IRF5210PBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 40 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 180 nC

Время нарастания (tr): 86 ns

Выходная емкость (Cd): 790 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.06 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB