Наименование прибора: 2SK3767

Маркировка: K3767

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 9 nC

Время нарастания (tr): 15 ns

Выходная емкость (Cd): 100 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 4.5 Ohm

Тип корпуса: TO220SIS