Наименование прибора: 2SJ306
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W
Предельно допустимое напряжение сток-утечка |Uds|: 250 V
Предельно допустимое напряжение затвор-утечка | Ugs |: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока Id |: 3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время роста (tr): 18 ns
Выходная емкость (Cd): 110 pf
Сопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds): 1.5 Ohm
Тип корпуса: TO-220ML