Наименование прибора: 2SJ162
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W
Предельно допустимое напряжение сток-утечка |Uds|: 160 V
Предельно допустимое напряжение затвор-утечка | UGS: 15 V
Минимальное напряжение отсечки Vgs (off) |: 0.15 V
Максимально допустимый постоянный ток стока Id |: 7 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Выходная емкость (Cd): 400 pf
Сопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds): 1.4 Ohm
Тип корпуса: TO3P