Наименование прибора: IPD70R900P
Маркировка: 70S900P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-утечка |Uds|: 700 V
Предельно допустимое напряжение затвор-утечка |Ugs|: 16 V
пороговое напряжение включения | Ugs (th) |: 3.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока Id |: 6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 6.8 nC
Время роста (tr): 4.7 ns
Выходная емкость (Cd): 5 pf
Сопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds): 0.9 Ohm
Тип корпуса: TO252