Наименование прибора: RFP4N100
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
Предельно допустимое напряжение сток-утечка |Uds|: 1000 V
Предельно допустимое напряжение затвор-утечка | Ugs |: 20 V
пороговое напряжение включения | УГС (th) |: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока Id |: 4.3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 120(max) nC
Время роста (tr): 50 (max) ns
Сопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds): 3.5 Ohm
Тип корпуса: TO220AB