promo_download_app_ios_2025
Нажмите найти для поиска
Транзистор HY4008P 40В 120А, N-канальный, низкий Rds(on), TO-220
Транзистор HY4008P 40В 120А, N-канальный, низкий Rds(on), TO-220
Характеристики и описание

Основной

ПроизводительHUAYI

N-канальный MOSFET усиливающей моды HY4008W предназначен для применения в силовой электронике, в том числе в инверторных системах и коммутационных схемах. Прошел 100% тестирование на лавинную пробу, отличается низким сопротивлением открытого канала и соответствием стандарту RoHS.

Параметр Значение
Тип N-канальный MOSFET (режим обогащения)
Напряжение стик-вилка (VDSS) 80 В
Напруга затвор-витік (VGSS) ±25 В
Ток стока постоянный (ID), TC=25°C 200 А
Импульсный ток стока (IDM) 800А
Сопротивление открытого канала RDS(ON) (тип.), VGS=10В 2.9 мОм
Порогова напруга затвора VGS(th) 2,0–4,0 В
Максимальная рассеиваемая мощность (PD), TC=25°C 397 Вт
Энергия лавинной пробой (EAS), L=0,5 мГн 1736 мДж
Входная емкость (Ciss) 7398 пФ
Заряд затвора суммарный (Qg) 195 нКл
Время обратного восстановления диода (trr) 30 нс
Максимальная температура перехода (TJ) 175°C
Корпус TO-247-3L
Соответствие стандартам RoHS, безсвинцевий (Lead Free), 100% Avalanche Tested

Транзистор HY4008P 40В 120А, N-канальный, низкий Rds(on), TO-220

Готово к отправке
Код: HY4008P
41 
Способы оплаты
Безопасная оплата
  • Как наложенный платеж, только без переплат
  • Вернем деньги, если что-то пойдет не так
  • Bigl гарантирует безопасность
Наложенный платеж
Нова Пошта, Укрпочта
Способы доставки
Нова Пошта — Бесплатно при условии
Укрпошта — от 39 грн
Условия возврата
Возврат товара в течение 14 дней за домовленістю
Чат