CRST025N08N - N-канальный MOSFET 85В, 2 мОм, 180А (TO-220)
CRST025N08N - мощный N-канальный полевой транзистор производства China Resources Microelectronics (華潤微電子) на базе технологии SkyMOS1. Отмечается чрезвычайно низким сопротивлением в открытом состоянии (2 мОм), высоким током стока до 180А и напряжением 85В. Предназначен для синхронного выпрямления в быстрых зарядных устройствах AC/DC, систем управления аккумуляторами и источников бесперебойного питание (ДБП). Корпус TO-220, 100% тестирование на лавинную пробу.
| Параметр |
Значение |
| Напряжение сток-вилка (VDS) |
85 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)), тип. |
2,0 мОм (VGS=10В, ID=90А) |
| Постоянный ток стока (TC=25°C, пакет) |
180А |
| Импульсный ток стока |
720А |
| Напруга затвор-витік (VGS) |
±20 В |
| Порогова напруга (VGS(th)) |
2,2 — 3,8 В |
| Рассеиваемая мощность (TC=25°C) |
227 Вт |
| Манящая энергия (EAS) |
576 мДж |
| Общий заряд затвора (QG) |
217 нКл |
| Входная емкость (Ciss) |
12191 пФ |
| Термическое сопротивление корпус-кристалл (RthJC) |
0,55 °C/Вт |
| Диапазон температур (Tj) |
−55 … +150 °C |
| Корпус |
TO-220 |
| Производитель |
China Resources Microelectronics (CRM) |