N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

Структура    n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В    75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А    80
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В    ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)    0.011 ом при 40a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт    45
Крутизна характеристики, S    20
Корпус    to220ab
Особенности    мощный полевой
Пороговое напряжение на затворе    4
Вес, г    2.5