•
•
•
•
•
•
Транзистор IRFB4110PBF 100В 120А, N-канальний, низький Rds(on), TO-220, Infineon (IR)
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | Infineon |
IRFB4110PbF — N-канальний MOSFET 100В, 180А, 3,7 мОм (TO-220AB)
IRFB4110PbF — потужний N-канальний польовий транзистор серії HEXFET виробництва International Rectifier (нині Infineon). Відзначається надзвичайно низьким опором у відкритому стані та покращеною стійкістю тіла діода до dV/dt і dI/dt. Призначений для синхронного випрямлення в SMPS, ДБЖ та високочастотних схем. Корпус TO-220AB, виконання без свинцю (Pb-free).
| Параметр | Значення |
| Напруга сток-витік (VDSS) | 100 В |
| Опір у відкритому стані (RDS(on)), тип. / макс. | 3,7 / 4,5 мОм (VGS=10В, ID=75А) |
| Постійний струм стоку (TC=25°C / 100°C) | 180 А / 130 А |
| Імпульсний струм стоку (IDM) | 670 А |
| Напруга затвор-витік (VGS) | ±20 В |
| Порогова напруга (VGS(th)) | 2,0 — 4,0 В |
| Розсіювана потужність (PD, TC=25°C) | 370 Вт |
| Лавинна енергія (EAS), одиночний імпульс | 210 мДж |
| Загальний заряд затвора (Qg), тип. / макс. | 150 / 210 нКл |
| Вхідна ємність (Ciss) | 9620 пФ (тип.) |
| Час вмикання / вимикання (td(on) / td(off)) | 25 / 78 нс (тип.) |
| Пряма напруга тіла діода (VSD), макс. | 1,3 В (IS=75А) |
| Час відновлення діода (trr) | 50 нс тип. / 75 нс макс. (TJ=25°C) |
| Термічний опір корпус-кристал (RθJC) | макс. 0,402 °C/Вт |
| Діапазон температур (TJ) | −55 … +175 °C |
| Корпус | TO-220AB |
| Виробник | International Rectifier (Infineon) |
Транзистор IRFB4110PBF 100В 120А, N-канальний, низький Rds(on), TO-220, Infineon (IR)
Готово до відправки
40 ₴
Способи оплати
Безпечна оплата
- Як післяплата, тільки без переплат
- Повернем гроші, якщо щось піде не так
- Bigl гарантує безпеку
Нова Пошта, Укрпошта
Способи доставки
Нова Пошта — Безкоштовно за умови
Укрпошта — від 39 грн
Умови повернення
Повернення товару впродовж 14 днів за домовленістюІнші товари продавця
Дивіться також
Новинки в категорії транзистори
Улюблені товари покупців
Чат