•
•
•
•
•
•
Транзистор TGAN40N65F2DS
Характеристики та опис
Користувальницькі характеристики
| Час відновлення діода (25°С/tmax) | 50 / 145 нс |
| Корпус | TO-3PN |
| Макс. напруга колектор-емітер | 650 |
| Макс. постійний струм діода (100°С) | 40 А |
| Макс. ток колектора (100°C) | 40 А |
650V, 40A IGBT+DIODE
Характеристики
Характеристики
| Корпус | TO-3PN |
| Структура | IGBT + Diode |
| Схема соединения | Одиночный |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер | 650 V |
| Напряжение затвор - эмиттер | 20 V |
| Макс. ток коллектора (25°C) | 80 А |
| Макс. ток коллектора (100°C) | 40 А |
| Макс. постоянный ток диода (100°С) | 40 А |
| Время восстановления диода (25°С/tmax) | 50 / 145 нс |
| Мощность рассеяния при 25°C | 283 Вт |
| Тип упаковки | Туба |
| Стандартная упаковка | 30 шт |
Транзистор TGAN40N65F2DS
Готово до відправки
111 ₴
Способи оплати
Безпечна оплата
- Як післяплата, тільки без переплат
- Повернем гроші, якщо щось піде не так
- Bigl гарантує безпеку
Способи доставки
Нова Пошта — від 70 грн
Умови повернення
Повернення товару впродовж 14 днів за домовленістюІнші товари продавця
Подібні товари інших продавців
Дивіться також
Новинки в категорії транзистори
Улюблені товари покупців
Чат