MS5N100FE MASPOWER – N-канальний MOSFET

Основні характеристики:

• Тип пристрою:
  Транзисторпольовий (MOSFET) N-канальний, призначений для роботи в високовольтних застосуваннях.

• Максимальна напруга стік-витік (VDS:
  1000 В – забезпечує надійну роботу в системах з високою напругою.

• Максимальний струм стоку (ID):
  5 А – дозволяє використовувати пристрій у застосуваннях, де струмові навантаження не перевищують цього значення.

• Максимально допустима розсіювана потужність (P tot):
  56 Вт – потужність, яку пристрій може розсіювати за належного тепловідведення.

• Опір у відкритому стані (RDS(on)):
  Приблизно 5 Ом – типовий показник для високовольтних MOSFET, що впливає на втрати при провідному режимі.

• Корпус:
  TO-263-2 (D2PAK) – забезпечує ефективне тепло відведення та зручність монтажу у потужних електронних схемах.

Опис:

MS5N100FE – це високовольтний N-канальний MOSFET, розроблений для роботи в жорстких умовах та при високих напругах до 1000 В. Пристрій здатний забезпечувати стабільний струм до 5 А та розсіювати потужність до 56 Вт за умови належного охолодження. Завдяки корпусу D2PAK (TO-263-2) транзистор має добрі теплообмінні характеристики, що є важливим фактором у високопотужних застосуваннях.

Низький опір у відкритому стані (близько 5 Ом) дозволяє мінімізувати втрати енергії при перемиканні, що робить його оптимальним вибором для імпульсних джерел живлення, високовольтних перетворювачів та інших силових пристроїв. Завдяки своїм характеристикам MS5N100FE забезпечує надійну та ефективну роботу у вимогливих електронних системах.