•
•
•
•
•
•
Транзистор NCE80TD65BT 650В 80А, N-канальний, TO-247, NCE Power
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | Wuxi NCE Power Semiconductor |
Транзистор IGBT NCE80TD65BT (NCE Power) — 650 V, 80 A Trench FS II Fast IGBT з вбудованим діодом
Швидкодіючий IGBT-транзистор з технологією Trench Field Stop II другого покоління від NCE Power у корпусі TO-247. Напруга колектор-емітер 650 В, безперервний струм колектора 80 А при TC = 100°C. Відрізняється дуже низькою напругою насичення VCE(sat) = 1.7 В, стійкістю до КЗ протягом 3 мкс та позитивним температурним коефіцієнтом VCE(sat) для легкого паралельного з'єднання. Без свинцю (Pb-free).
Граничні параметри
| Параметр | Значення | Умови |
|---|---|---|
| Напруга колектор-емітер VCES | 650 В | — |
| Напруга затвор-емітер VGES | ±30 В | — |
| Струм колектора IC | 160 А | TC = 25°C |
| Струм колектора IC | 80 А | TC = 100°C |
| Імпульсний струм колектора ICplus | 240 А | — |
| Стійкість до КЗ tsc | 3 мкс | VGE = 15 В, VCC ≤ 400 В, Tj ≤ 150°C |
| Прямий струм діода IF | 80 А | TC = 100°C |
| Макс. струм діода IFM | 240 А | — |
| Розсіювана потужність PD | 390 Вт | TC = 25°C |
| Розсіювана потужність PD | 155 Вт | TC = 100°C |
| Температура переходу та зберігання | −55 ... +150 °C | — |
| Тепловий опір RθJC (IGBT) | 0.32 °C/Вт | — |
| Тепловий опір RθJC (діод) | 1.41 °C/Вт | — |
| Корпус | TO-247 | G, C, E |
Електричні характеристики IGBT
| Параметр | Typ | Max | Умови |
|---|---|---|---|
| Порогова напруга VGE(th) | 5.0 В | 6.0 В | IC = 1 мА, VCE = VGE |
| Напруга насичення VCE(sat) | 1.7 В | 1.9 В | IC = 80 А, VGE = 15 В, T = 25°C |
| Напруга насичення VCE(sat) | 1.9 В | — | IC = 80 А, VGE = 15 В, T = 150°C |
| Струм витоку колектора ICES | — | 6 мкА | VGE = 0 В, VCE = 650 В |
| Заряд затвора Qg | 331 нКл | — | VCC = 480 В, IC = 80 А, VGE = 15 В |
| Вхідна ємність Cies | 9188 пФ | — | VCE = 25 В, f = 1 МГц |
| Струм КЗ IC(SC) | 450 А | — | VGE = 15 В, VCC ≤ 400 В, tSC ≤ 3 мкс |
| Затримка вмикання td(ON) | 19 нс | — | VCE = 400 В, IC = 80 А, VGE = 0/15 В, Rg = 5 Ом |
| Час наростання tr | 17 нс | — | |
| Затримка вимкнення td(OFF) | 172 нс | — | |
| Час спаду tf | 20 нс | — | |
| Втрати вмикання Eon | 1.43 мДж | — | |
| Втрати вимкнення Eoff | 1.45 мДж | — | |
| Сумарні комутаційні втрати Ets | 2.88 мДж | — | — |
Характеристики вбудованого діода
| Параметр | Typ | Max | Умови |
|---|---|---|---|
| Пряме падіння напруги VFM | 1.75 В | 2.0 В | IF = 80 А |
| Час зворотного відновлення Trr | 194 нс | — | VCC = 400 В, IF = 80 А, di/dt = 200 А/мкс |
| Пік струму відновлення IRRM | 2.8 А | — | — |
| Заряд відновлення Qrr | 0.2 мкКл | — | — |
Застосування: кондиціонери та теплові насоси, інвертори загального призначення, керування електродвигунами.
Транзистор NCE80TD65BT 650В 80А, N-канальний, TO-247, NCE Power
Готово до відправки
120 ₴
Способи оплати
Безпечна оплата
- Як післяплата, тільки без переплат
- Повернем гроші, якщо щось піде не так
- Bigl гарантує безпеку
Нова Пошта, Укрпошта
Способи доставки
Нова Пошта — Безкоштовно за умови
Укрпошта — від 39 грн
Умови повернення
Повернення товару впродовж 14 днів за домовленістюІнші товари продавця
Дивіться також
Новинки в категорії транзистори
Улюблені товари покупців
Чат