Основной

Тип транзистора	Полевой
Материал корпуса	Металлостекло
Максимально допустимое напряжение затвор-исток	30 В
Максимальная мощность рассеивания	0.20 Вт
Тип монтажа	Ручной монтаж

Пользовательские характеристики

Страна происхождения

СССР

КП303Д транзистор полевой N-FET (200 mW 30В) Au (ТО72)

Наименование

	КП303Д Транзистор
Функциональный тип	полевой
Типоразмер корпуса	КТ-1-12
Структура	p-n-переход и n-канал
Торговая марка	No trademark
ТУ	Ц20.336.601 ТУ
Вид приемки	1
Материал корпуса	металлостеклянный
Тип вывода	гибкий
Покрытие выводов или контактов	Au
Рабочее положение	любое
Фактическая маркировка	3ДВ2
Состояние упаковки	самоупаковка
Кратность отгрузки	1
Цвет изделия	черный
Габаритные размеры LWH	6х18
Высота корпуса	5 mm
Масса изделия, гр.	0,34
Транслитерация	Transistor KP303D
Напряжение сток-исток	25 V
Напряжение затвора	30 V
Ток стока	не более 9 mA
Максимальная мощность рассеивания	200 mW
Примечание	Дата выпуска не указана

Танзистор КП303Д кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Применяеся во входных каскадах усилителей высокой частоты.

Характеристики полевых транзисторов c p-n переходом и каналом p-типа
КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е КП303Ж, КП303И:

Тип полевого транзистора	Р МАКС	f МАКС	Предельные значения параметров при Т=25°С				Значения параметров при Т=25°С								Т ОКР
	Р МАКС	f МАКС	UСИ МАКС	UЗС МАКС	UЗИ МАКС	IС МАКС	UЗИ ОТС	g22И	IЗ УТ	S	IС НАЧ	C11И	C12И	КШ	Т ОКР
	мВт	МГц	В	В	В	мА	В	мкСм	нА	мА/В	мА	пФ	пФ	дБ	°С
КП303А	200	-	25	30	30	20	0,5…3	-	<1	1…4	0,5…2	<6	<2	-	-40…+85
КП303Б	200	-	25	30	30	20	0,5…3	-	<1	1…4	0,5…2	<6	<2	-	-40…+85
КП303В	200	-	25	30	30	20	1…4	-	<1	2…5	1,5…5	<6	<2	-	-40…+85
КП303Г	200	-	25	30	30	20	<8	-	<0,1	3…7	3…12	<6	<2	-	-40…+85
КП303Д	200	-	25	30	30	20	<8	-	<1	>2,6	3…9	<6	<2	<4	-40…+85
КП303Е	200	-	25	30	30	20	<8	-	<1	>4	5…20	<6	<2	<4	-40…+85
КП303Ж	200	-	25	30	30	20	0,3…3	-	<5	1…4	0,3…3	<6	<2	-	-40…+85
КП303И	200	-	25	30	30	20	0,5…2	-	<5	2…6	1,5…5	<6	<2	-	-40…+85

Условные обозначения электрических параметров полевых транзисторов:
• Р МАКС - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора.
• f МАКС - максимально допустимая рабочая частота полевого транзистора.
• UСИ МАКС - максимально допустимое напряжение сток-исток.
• UЗС МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-сток.
• UЗИ МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-исток.
• IС МАКС - максимально допустимый ток стока полевого транзистора.
• UЗИ ОТС - напряжение отсечки полевого транзистора. Напряжение между затвором и истоком транзистора с p-n переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения.
• g22И - активная составляющая выходной проводимости полевого транзистора в схеме с общим истоком.
• IЗ УТ - ток утечки затвора. Ток затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой.
• S - крутизна характеристики полевого транзистора. Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком.
• IС НАЧ - начальный ток стока. Ток стока при напряжении между затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщения.
• C11И - входная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выходе с общим истоком.
• C12И - проходная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• Т ОКР - температура окружающей среды.