Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF10N65K3 — это полевой транзистор с обогащенным каналом, рассчитанный на напряжение 650 В и ток 10 А. Корпус TO220FP обеспечивает выводной монтаж, а максимальная мощность рассеивания составляет 35 Вт.

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 В
• Максимально допустимый ток стока: 10 А
• Корпус: TO220FP (выводной монтаж)
• Максимальная мощность рассеивания: 35 Вт
• Количество в комплекте: 20 шт.

Максимально допустимое напряжение сток-исток (Vds) равно 650 В. Максимально допустимый ток стока (Id) составляет 10 А, импульсный ток — 40 А. Напряжение затвор-исток (Vgs) ограничено значением 30 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 1000 мОм.

Транзистор выполнен в корпусе TO220FP. Тип монтажа — выводной. Максимальная мощность рассеивания составляет 35 Вт.

В комплект поставки входит 20 шт. транзисторов STMicroelectronics STF10N65K3.