Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD18N65M5 — это полевой транзистор с индуцированным каналом в корпусе DPAK. Модель рассчитана на максимальное напряжение сток-исток 650 В и ток стока 9,4 А при мощности рассеивания 110 Вт.

• Тип транзистора: полевой (N-MOSFET)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 В
• Максимально допустимый ток стока: 9,4 А
• Максимальная мощность рассеивания: 110 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 220 мОм
• Корпус: DPAK (поверхностный монтаж)
• Количество в наборе: 20 шт.

Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 650 В и максимально допустимый ток стока 9,4 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 110 Вт, а сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 220 мОм. Напряжение затвор-исток ограничено значением 25 В.

Устройство выполнено в корпусе для поверхностного монтажа DPAK. Используется технология SuperMesh™. Версия компонента обозначена как ESD.