Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP33N65M2 — это униполярный полевой транзистор с обогащенным каналом. Модель имеет напряжение сток-исток 650 В и ток стока 24 А. Комплект состоит из 10 единиц в корпусе TO220-3.

• Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный, обогащенный канал
• Максимальное напряжение сток-исток: 650 В
• Ток стока: 24 А, импульсный ток: 96 А
• Рассеиваемая мощность: 190 Вт
• Корпус: TO220-3, монтаж: THT
• Комплектация: набор из 10 транзисторов

Транзистор STP33N65M2 имеет максимальное напряжение сток-исток 650 В и напряжение затвор-исток ±25 В. Номинальный ток стока составляет 24 А, а импульсный ток — 96 А. Сопротивление в состоянии проводимости равно 0,14 Ом, а заряд затвора — 41,5 нКл.

Максимальная рассеиваемая мощность транзистора составляет 190 Вт. Корпус TO220-3 предназначен для монтажа на поверхности печатной платы методом выводов (THT). Такой тип корпуса и монтажа является стандартным для компонентов с указанными параметрами мощности.

Упаковка содержит 10 транзисторов STP33N65M2. Символ производителя: STP33N65M2. Производитель компонента — STMicroelectronics.