Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF21N65M5 — это силовой полупроводниковый прибор в корпусе TO220FP для монтажа на плату (THT). Комплект состоит из 5 единиц.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Напряжение сток-исток: 650 В
- Ток стока: 10,7 А
- Мощность рассеивания: 30 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 179 мОм
- Корпус: TO220FP, монтаж THT
- Технология: MDmesh™ V
- Комплект: 5 шт.
Технические характеристики
Прибор является униполярным N-MOSFET с каналом обогащения типа. Максимальное напряжение сток-исток составляет 650 В, а постоянный ток стока — 10,7 А. Мощность рассеивания равна 30 Вт.
Особенности конструкции
Транзистор изготовлен по технологии MDmesh™ V. Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) равно 179 мОм. Корпус TO220FP.
Защита и комплектация
Версия ESD. В комплекте поставляется 5 транзисторов. Напряжение затвор-исток составляет ±25 В. Прибор является униполярным.