Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STN4NF03L — полевой транзистор с каналом обогащения в корпусе SOT223.

• Тип транзистора: полевой (N-MOSFET)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 В
• Максимально допустимый ток стока: 4,5 А
• Сопротивление в открытом состоянии: 60 мОм
• Корпус: SOT223, монтаж поверхностный
• Комплектация: 30 шт., версия ESD

Максимальное напряжение сток-исток составляет 30 В, а максимально допустимый ток стока — 4,5 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 60 мОм. Максимальная мощность рассеивания ограничена 3,3 Вт.

Транзистор изготовлен по технологии SuperMesh™ и имеет версию ESD. Тип монтажа — поверхностный, что соответствует корпусу SOT223. Поляризация транзистора — униполярная, канал — обогащенный (N-MOSFET). Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет 16 В.