Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP11NK50Z — полевой транзистор с обогащенным каналом, рассчитанный на напряжение сток-исток 500 В и ток стока 6,3 А. Изделие изготовлено по технологии SuperMesh™ в корпусе TO220-3 и имеет защиту от электростатического разряда (ESD).

• Тип транзистора: полевой N-MOSFET
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 В
• Максимально допустимый ток стока: 6,3 А
• Максимальная мощность рассеивания: 125 Вт
• Корпус: TO220-3, выводной монтаж
• Технология: SuperMesh™, версия ESD
• Количество в комплекте: 10 шт.

Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 500 В, а напряжение затвор-исток — 30 В. Максимальный ток стока равен 6,3 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 520 мОм.

Максимальная мощность рассеивания транзистора — 125 Вт. Устройство выполнено в корпусе TO220-3 с выводным типом монтажа. Тип канала: обогащенный (wzbogacany), полярность — униполярная.

Товар поставляется набором, содержащим 10 транзисторов.