Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP55NF06L — это полевой транзистор с каналом типа «обогащенный» и технологией STripFET™ II. Прибор выполнен в корпусе TO220-3 с выводным типом монтажа и предназначен для работы с напряжением до 60 В и током до 39 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET, полевой, обогащенный канал
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 В
• Максимально допустимый ток стока: 39 А
• Максимальная мощность рассеивания: 95 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 18 мОм
• Корпус: TO220-3, выводной монтаж
• Количество в комплекте: 20 шт.

Максимально допустимое напряжение сток-исток (Vds) составляет 60 В, а напряжение затвор-исток (Vgs) — 16 В. Максимальный ток стока (Id) равен 39 А, что определяет пропускную способность прибора в открытом состоянии. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 18 мОм, что влияет на тепловые потери при коммутации.

Максимальная мощность рассеивания транзистора составляет 95 Вт. Прибор является униполярным и относится к типу N-MOSFET.

Транзистор выполнен в корпусе TO220-3. Тип монтажа — выводной. В комплекте поставки находится 20 шт. транзисторов STP55NF06L.