Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB6N80K5 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для работы при напряжении до 800 В. Комплект состоит из 10 штук в корпусе D2PAK (TO263) для поверхностного монтажа (SMD).
- Напряжение сток-исток: 800 В
- Ток стока: 4,5 А
- Рассеиваемая мощность: 85 Вт
- Корпус: D2PAK (TO263), монтаж SMD
- Технология: MDmesh™
- Комплектация: 10 шт.
Электрические параметры
Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 800 В и постоянный ток стока 4,5 А. Рассеиваемая мощность составляет 85 Вт, а заряд затвора — 7,5 нКл. Сопротивление в открытом состоянии равно 1,6 Ом.
Корпус и технология
Компонент изготовлен по технологии MDmesh™. Корпус D2PAK (TO263) позволяет осуществлять монтаж на поверхность платы (SMD).